BSM15GP120BOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSM15GP120BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 35A 180W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 15A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 35 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 180 W, Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote BSM15GP120BOSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| BSM15GP120BOSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM15GP120BOSA1 - LOW POWER ECONOeuEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| BSM15GP120BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
BSM15GP120BOSA1 |
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| BSM15GP120BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 35A 180W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 15A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 180 W Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V |
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| BSM15GP120BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
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