BSM10GD120DN2BOSA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSM10GD120DN2BOSA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 15 A, 3.2 V, 80 W, 125 °C, EconoPACK, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V, Dauer-Kollektorstrom: 15A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V, Verlustleistung Pd: 80W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: EconoPACK, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 17Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 15A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).