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BSM100GB120DLCKHOSA1 Infineon Technologies


Hersteller: Infineon Technologies
BSM100GB120DLCKHOSA1
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Technische Details BSM100GB120DLCKHOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 100A 830W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 830 W.

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BSM100GB120DLCKHOSA1 Hersteller : Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 100A 830W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 830 W
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BSM100GB120DLCKHOSA1 Hersteller : Infineon Technologies IGBT Modules MEDIUM POWER 34MM
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