BSM080D12P2C008 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: SIC 2N-CH 1200V 80A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 600W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13.2mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details BSM080D12P2C008 Rohm Semiconductor
Description: SIC 2N-CH 1200V 80A MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 600W, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13.2mA, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote BSM080D12P2C008 nach Preis ab 542.57 EUR bis 560.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||
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BSM080D12P2C008 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V |
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