![BSH105,215 BSH105,215](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/daf6455b386ecb473432140f17a508fd7bbad2b9/nxv65upr.jpg)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3000+ | 0.12 EUR |
6000+ | 0.11 EUR |
9000+ | 0.096 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSH105,215 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.05A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 417mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 570mV @ 1mA (Typ), Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 16 V.
Weitere Produktangebote BSH105,215 nach Preis ab 0.087 EUR bis 0.46 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSH105,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.05A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 570mV @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 16 V |
auf Bestellung 417000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH105,215 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH105,215 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH105,215 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.67A; 417mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.67A Power dissipation: 417mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.375Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH105,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.05A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 570mV @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 16 V |
auf Bestellung 421347 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH105,215 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 272502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH105,215 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH105,215 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 2621 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH105,215 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.05A hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 570mV euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BSH105,215 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() |
auf Bestellung 2621 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BSH105,215 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.05A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 570mV euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 32784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BSH105,215 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.67A; 417mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.67A Power dissipation: 417mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.375Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BSH105,215 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.05A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 570mV euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 32784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BSH105,215 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
BSH105,215 | Hersteller : NXP |
![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||||
BSH105,215 | Hersteller : NXP |
![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1254 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
BSH105,215 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |