BSDW20S65C6 Bourns
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Schottky Diodes & Rectifiers 650V each 10A Low Vf Dual SiC schottky diode in TO247-3
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Technische Details BSDW20S65C6 Bourns
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A, Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote BSDW20S65C6 nach Preis ab 5.9 EUR bis 11.09 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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BSDW20S65C6 | Hersteller : Bourns Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
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BSDW20S65C6 | Hersteller : BOURNS |
![]() tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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