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BSDH08G65E2

BSDH08G65E2 Bourns

BSDH10G65E2-3317239.pdf Hersteller: Bourns
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A High Surge SiC schottky diode in TO220-2
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Technische Details BSDH08G65E2 Bourns

Description: DIODE SCHOT SIC 650V 8A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 267pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.

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BSDH08G65E2 BSDH08G65E2 Hersteller : Bourns Inc. BSDH08G65E2.pdf Description: DIODE SCHOT SIC 650V 8A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 267pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
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