BSC886N03LSGATMA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 8585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1205+ | 0.44 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSC886N03LSGATMA1 Infineon Technologies
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC886N03LSGATMA1 - BSC886N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, tariffCode: 85412100, productTraceability: No, rohsCompliant: YES, euEccn: TBC, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: TBC, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BSC886N03LSGATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC886N03LSGATMA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC886N03LSGATMA1 - BSC886N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORtariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
BSC886N03LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
BSC886N03LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
BSC886N03LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON |
Produkt ist nicht verfügbar |