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BSC152N15LS5ATMA1

BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies

BSC152N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
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Technische Details BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V.

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BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC152N15LS5_DataSheet_v02_00_EN-3398088.pdf MOSFETs N
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