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BSC093N04LSGATMA1

BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies

4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0078 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: To Be Advised.

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BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
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BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
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Mindestbestellmenge: 5000
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC093N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
On-state resistance: 9.3mΩ
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
72+1 EUR
129+ 0.56 EUR
137+ 0.52 EUR
500+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 72
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC093N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
On-state resistance: 9.3mΩ
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
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BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC093N04LSG_DS_v02_01_en-1226185.pdf MOSFETs N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
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100+ 0.71 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.5 EUR
5000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
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141+ 1.05 EUR
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200+ 0.74 EUR
500+ 0.66 EUR
1000+ 0.48 EUR
2000+ 0.44 EUR
5000+ 0.4 EUR
10000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 110
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
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Mindestbestellmenge: 13
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS27234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0078 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 102360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS27234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0078 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: To Be Advised
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auf Bestellung 15000 Stücke:
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BSC093N04LSGATMA1
Produktcode: 174414 		BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 IC > IC andere
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