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BSC072N04LDATMA1

BSC072N04LDATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC072N04LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905d7c0180c4d Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3990pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
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Technische Details BSC072N04LDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC072N04LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0065 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0065ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 65W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSC072N04LDATMA1 BSC072N04LDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC072N04LD_DS_v02_00_EN-1578830.pdf MOSFETs N
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BSC072N04LDATMA1 BSC072N04LDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc072n04ld-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC072N04LDATMA1 BSC072N04LDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC072N04LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905d7c0180c4d Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3990pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
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BSC072N04LDATMA1 BSC072N04LDATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-BSC072N04LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905d7c0180c4d Description: INFINEON - BSC072N04LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0065 ohm
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0065ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSC072N04LDATMA1 BSC072N04LDATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-BSC072N04LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905d7c0180c4d Description: INFINEON - BSC072N04LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0065 ohm
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSC072N04LDATMA1 BSC072N04LDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc072n04ld-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A T/R
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