BSC057N03MSGATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSC057N03MSGATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; 45W; PG-TDSON-8, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 71A, On-state resistance: 5.7mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 45W, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™ 3, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±16V, Mounting: SMD, Case: PG-TDSON-8, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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BSC057N03MSGATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; 45W; PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 71A On-state resistance: 5.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 45W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC057N03MSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A/71A TDSON |
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BSC057N03MSGATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; 45W; PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 71A On-state resistance: 5.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 45W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 |
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