BSC039N06NS Infineon Technologies
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Technische Details BSC039N06NS Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 100A, Power dissipation: 69W, Case: PG-TDSON-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3.9mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BSC039N06NS | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 |
auf Bestellung 12726 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC039N06NS | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC039N06NS | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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