![BSC025N08LS5ATMA1 BSC025N08LS5ATMA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/3e513af2704b246961f5f3177470d01d7cfee831/infineon_package_superso8_tdson-8.jpg)
BSC025N08LS5ATMA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5000+ | 2.26 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSC025N08LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 156W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSC025N08LS5ATMA1 nach Preis ab 2.26 EUR bis 6.12 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSC025N08LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSC025N08LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSC025N08LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 410000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSC025N08LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSC025N08LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V |
auf Bestellung 7615 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSC025N08LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 3013 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSC025N08LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 4975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSC025N08LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
BSC025N08LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 156W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
BSC025N08LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
BSC025N08LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |