![BS270-D74Z BS270-D74Z](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2585/TO-92-3%20Formed%20Leads.jpg)
BS270-D74Z onsemi
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Description: MOSFET N-CH 60V 400MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2000+ | 0.18 EUR |
6000+ | 0.17 EUR |
10000+ | 0.15 EUR |
50000+ | 0.14 EUR |
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Technische Details BS270-D74Z onsemi
Description: ONSEMI - BS270-D74Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.2 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BS270-D74Z nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.65 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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BS270-D74Z | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS270-D74Z | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS270-D74Z | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 21054 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS270-D74Z | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 80560 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS270-D74Z | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS270-D74Z | Hersteller : ON Semiconductor |
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BS270-D74Z | Hersteller : ON Semiconductor |
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BS270-D74Z | Hersteller : ON Semiconductor |
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BS270-D74Z | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 400mA; Idm: 2A; 0.625W; TO92 Mounting: THT Power dissipation: 0.625W Polarisation: unipolar Kind of package: Ammo Pack Technology: DMOS Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2A Case: TO92 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.4A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BS270-D74Z | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 400mA; Idm: 2A; 0.625W; TO92 Mounting: THT Power dissipation: 0.625W Polarisation: unipolar Kind of package: Ammo Pack Technology: DMOS Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2A Case: TO92 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.4A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET |
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