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BS170

BS170 FS

BS170-D.PDF
Produktcode: 26014
Hersteller: FS
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.05.2000
Rds(on), Ohm: 05.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
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Analogon BS170 FS

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BS170-D26Z BS170-D26Z
Produktcode: 143717 		Hersteller : ON FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
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BS170 BS170 Hersteller : ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
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BS170 BS170 Hersteller : ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
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BS170 BS170 Hersteller : ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 0.83W
Kind of package: bulk
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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460+ 0.16 EUR
520+ 0.14 EUR
570+ 0.13 EUR
610+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 420
BS170 BS170 Hersteller : ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 0.83W
Kind of package: bulk
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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BS170 BS170 Hersteller : ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
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BS170 BS170 Hersteller : ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
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BS170 BS170 Hersteller : onsemi / Fairchild MMBF170_D-3179750.pdf MOSFET Single N-Channel Small Signal MOSFET 60V, 500mA, 5ohm
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BS170 BS170 Hersteller : onsemi mmbf170-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
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500+ 0.21 EUR
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5000+ 0.14 EUR
10000+ 0.13 EUR
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BS170 BS170 Hersteller : ON Semiconductor bs170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
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BS170 BS170 Hersteller : ONSEMI 2304244.pdf Description: ONSEMI - BS170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BS170 Hersteller : ON-Semicoductor mmbf170-d.pdf N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2450 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
100+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100