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BS107PSTZ

BS107PSTZ Diodes Zetex


bs107p.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line T/R
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Technische Details BS107PSTZ Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BS107PSTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BS107PSTZ BS107PSTZ Hersteller : Diodes Incorporated BS107P.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BS107PSTZ BS107PSTZ Hersteller : DIODES INCORPORATED BS107P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
62+1.16 EUR
121+ 0.59 EUR
137+ 0.52 EUR
155+ 0.46 EUR
164+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 62
BS107PSTZ BS107PSTZ Hersteller : DIODES INCORPORATED BS107P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
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137+ 0.52 EUR
155+ 0.46 EUR
164+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 62
BS107PSTZ BS107PSTZ Hersteller : Diodes Incorporated bs107p-1163950.pdf MOSFET N-Chnl 200V
auf Bestellung 3074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.47 EUR
10+ 1.3 EUR
100+ 0.9 EUR
500+ 0.75 EUR
1000+ 0.64 EUR
2000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
BS107PSTZ BS107PSTZ Hersteller : Diodes Incorporated BS107P.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 23971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+1.5 EUR
14+ 1.31 EUR
100+ 0.9 EUR
500+ 0.76 EUR
1000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 12
BS107PSTZ BS107PSTZ Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009691565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS107PSTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BS107PSTZ BS107PSTZ Hersteller : Diodes Zetex bs107p.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line T/R
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BS107PSTZ BS107PSTZ Hersteller : Diodes Inc bs107p.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line T/R
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