BLF8G10LS-270,112 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-502B
Current Rating (Amps): 4.2µA
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 820MHz ~ 960MHz
Power - Output: 270W
Gain: 18.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: SOT502B
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 2 A
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Technische Details BLF8G10LS-270,112 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-502B, Current Rating (Amps): 4.2µA, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 820MHz ~ 960MHz, Power - Output: 270W, Gain: 18.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: SOT502B, Part Status: Active, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 2 A.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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|---|---|---|---|---|---|
| BLF8G10LS-270,112 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BLF8G10LS-270,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised |
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