BLF2425M7LS140,112 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-502B
Frequency: 2.45GHz
Power - Output: 140W
Gain: 18.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: SOT502B
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.3 A
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Technische Details BLF2425M7LS140,112 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B, Packaging: Tray, Package / Case: SOT-502B, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.45GHz, Power - Output: 140W, Gain: 18.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: SOT502B, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1.3 A.
Weitere Produktangebote BLF2425M7LS140,112
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| BLF2425M7LS140,112 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BLF2425M7LS140,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BLF2425M7LS140,112 | Hersteller : Ampleon |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin SOT-502B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BLF2425M7LS140,112 | Hersteller : Ampleon USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B Packaging: Tray Package / Case: SOT-502B Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.45GHz Power - Output: 140W Gain: 18.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: SOT502B Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.3 A |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BLF2425M7LS140,112 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors 2.4-2.5GHz 65V 12dB |
Produkt ist nicht verfügbar |