BGA7H1N6E6327XTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BGA7H1N6E6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BGA7H1N6E6327XTSA1 - Rauscharmer Verstärker, LTE, 2.3GHz-2.69GHz, 12.5dB Verstärkung, 0.65dB Rauschen, 1.5V-3.3V, TSNP-6, tariffCode: 85423990, rohsCompliant: YES, Rauschmaß, typ.: 0.65dB, Bauform - HF-IC: TSNP, Verstärkung: 12.5dB, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Frequenz, min.: 2.3GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 1.5V, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.3V, Frequenz, max.: 2.69GHz, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BGA7H1N6E6327XTSA1 nach Preis ab 0.63 EUR bis 1.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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BGA7H1N6E6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IC AMP LTE 2.3GHZ-2.69GHZ TSNP6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.3GHz ~ 2.69GHz RF Type: LTE Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.3V Gain: 12.5dB Current - Supply: 4.7mA Noise Figure: 0.6dB P1dB: -8dBm Supplier Device Package: PG-TSNP-6-2 |
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BGA7H1N6E6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Amplifier RF SILICON MMIC |
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BGA7H1N6E6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC AMP LTE 2.3GHZ-2.69GHZ TSNP6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.3GHz ~ 2.69GHz RF Type: LTE Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.3V Gain: 12.5dB Current - Supply: 4.7mA Noise Figure: 0.6dB P1dB: -8dBm Supplier Device Package: PG-TSNP-6-2 |
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BGA7H1N6E6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BGA7H1N6E6327XTSA1 - Rauscharmer Verstärker, LTE, 2.3GHz-2.69GHz, 12.5dB Verstärkung, 0.65dB Rauschen, 1.5V-3.3V, TSNP-6 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Rauschmaß, typ.: 0.65dB Bauform - HF-IC: TSNP Verstärkung: 12.5dB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 2.3GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.5V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.3V Frequenz, max.: 2.69GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BGA7H1N6E6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BGA7H1N6E6327XTSA1 - Rauscharmer Verstärker, LTE, 2.3GHz-2.69GHz, 12.5dB Verstärkung, 0.65dB Rauschen, 1.5V-3.3V, TSNP-6 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Rauschmaß, typ.: 0.65dB Bauform - HF-IC: TSNP Verstärkung: 12.5dB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 2.3GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.5V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.3V Frequenz, max.: 2.69GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BGA7H1N6E6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Amp Single LNA 2.69GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BGA7H1N6E6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Amp Single LNA 2.69GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BGA7H1N6E6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Low Noise Amplifier for LTE |
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