BFU760F,115 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
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Technische Details BFU760F,115 NXP USA Inc.
Description: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 155, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 70, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 220, euEccn: NLR, Verlustleistung: 220, Bauform - Transistor: SOT-343F, Bauform - HF-Transistor: SOT-343F, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.8, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 70, Übergangsfrequenz: 45, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BFU760F,115 nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.95 EUR
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BFU760F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
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BFU760F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
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BFU760F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
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BFU760F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS |
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BFU760F,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 220mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active |
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BFU760F,115 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 155 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 70 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 220 euEccn: NLR Verlustleistung: 220 Bauform - Transistor: SOT-343F Bauform - HF-Transistor: SOT-343F Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.8 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8 productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 70 Übergangsfrequenz: 45 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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BFU760F,115 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8 rohsCompliant: YES Verlustleistung: 220 euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Bauform - Transistor: SOT-343F usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 70 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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BFU760F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
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BFU760F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
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