BFU660F,115 NXP Semiconductors
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Technische Details BFU660F,115 NXP Semiconductors
Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 60mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 21GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BFU660F,115 nach Preis ab 0.28 EUR bis 0.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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BFU660F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R |
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BFU660F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R |
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BFU660F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R |
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BFU660F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R |
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BFU660F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz |
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BFU660F,115 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 21GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BFU660F,115 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 21GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BFU660F,115 Produktcode: 99607 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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BFU660F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R |
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BFU660F,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB ~ 21dB Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 21GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active |
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BFU660F,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB ~ 21dB Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 21GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active |
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