BFU630F,115 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 22.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
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Technische Details BFU630F,115 NXP USA Inc.
Description: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 21GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BFU630F,115 nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BFU630F,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB ~ 22.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V Frequency - Transition: 21GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active |
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BFU630F,115 | Hersteller : NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5.5V; 30mA; 200mW; SOT343F Frequency: 55GHz Collector-emitter voltage: 5.5V Current gain: 90...180 Collector current: 30mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF Mounting: SMD Case: SOT343F Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BFU630F,115 | Hersteller : NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5.5V; 30mA; 200mW; SOT343F Frequency: 55GHz Collector-emitter voltage: 5.5V Current gain: 90...180 Collector current: 30mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF Mounting: SMD Case: SOT343F |
auf Bestellung 2896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU630F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
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BFU630F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU630F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz |
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BFU630F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
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BFU630F,115 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 21GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BFU630F,115 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 21GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU630F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
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BFU630F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
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