BFU580GX NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
auf Bestellung 10000 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.63 EUR |
| 2000+ | 0.61 EUR |
| 3000+ | 0.60 EUR |
| 5000+ | 0.59 EUR |
| 7000+ | 0.58 EUR |
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Technische Details BFU580GX NXP USA Inc.
Description: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BFU580G, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 11GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BFU580GX nach Preis ab 0.54 EUR bis 1.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BFU580GX | Hersteller : NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 60mA Power dissipation: 1W Case: SOT223 Current gain: 60...130 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 11GHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 898 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFU580GX | Hersteller : NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 60mA Power dissipation: 1W Case: SOT223 Current gain: 60...130 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 11GHz |
auf Bestellung 898 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU580GX | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-73 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 10.5dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Active |
auf Bestellung 10300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU580GX | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor |
auf Bestellung 1957 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU580GX | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU580G Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU580GX | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU580G Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU580GX | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BFU580GX | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BFU580GX | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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