BFR 193W H6327 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details BFR 193W H6327 Infineon Technologies
Description: HIGH LINEARITY TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 16dB, Power - Max: 580mW, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote BFR 193W H6327 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.7 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BFR 193W H6327 | Hersteller : Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
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BFR193W H6327 | Hersteller : Infineon |
NPN 12V 8GHz 80mA 580mW BFR193WE6727 *OBSOLETE; BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327 Infineon TBFR193w Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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BFR 193W H6327 | Hersteller : Infineon |
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BFR193WH6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: HIGH LINEARITY TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active |
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