![BFQ18A,115 BFQ18A,115](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/7/13/6/26/40/531/phi_/manual/sot089_3d.jpg)
BFQ18A,115 NXP Semiconductors
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Technische Details BFQ18A,115 NXP Semiconductors
Description: RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Power - Max: 1W, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V, Frequency - Transition: 4GHz, Supplier Device Package: SOT-89-3, Part Status: Obsolete.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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BFQ18A,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V Frequency - Transition: 4GHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Obsolete |
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BFQ18A,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V Frequency - Transition: 4GHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Obsolete |
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BFQ18A,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
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BFQ18A,115 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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