BFP640ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7dB ~ 30dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 46GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
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Technische Details BFP640ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP640ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 45mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160mW, Bauform - Transistor: TSFP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 45GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BFP640ESDH6327XTSA1 nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.74 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BFP640ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
auf Bestellung 2130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP640ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
auf Bestellung 1660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP640ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
auf Bestellung 1660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP640ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP640ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
auf Bestellung 2136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP640ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
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BFP640ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 7dB ~ 30dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active |
auf Bestellung 80055 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFP640ESDH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP640ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 17506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP640ESDH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP640ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 17506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP640ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP640ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP640ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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