BFP620H7764XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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Technische Details BFP620H7764XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP620H7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 80mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 185mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 65GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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BFP620H7764XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP620H7764XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 185mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Frequency - Transition: 65GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active |
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BFP620H7764XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP620H7764XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
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BFP620H7764XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 185mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Frequency - Transition: 65GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active |
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BFP620H7764XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP620H7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 185mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BFP620H7764XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP620H7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 185mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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