BFN26E6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 360mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BFN26E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 70MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BFN26E6327HTSA1 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.18 EUR
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BFN26E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTORS |
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BFN26E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 70MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BFN26E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 70MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BFN26E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 360mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BFN26E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | BFN26E6327HTSA1 |
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BFN26E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 360mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BFN26E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 300V 0.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 360 mW |
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BFN26E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 300V 0.2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 360 mW |
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