Technische Details BFG19SE6327 INFINEON
Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 14dB ~ 8.5dB, Power - Max: 1W, Current - Collector (Ic) (Max): 210mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V, Frequency - Transition: 5.5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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BFG 19S E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 14dB ~ 8.5dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 210mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V Frequency - Transition: 5.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4 |
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BFG19SE6327 | Hersteller : onsemi | Bipolar Transistors - BJT |
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BFG 19S E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
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