BF776H6327XTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BF776H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BF776H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 46 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Bauform - HF-Transistor: SOT-343, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 50mA, Übergangsfrequenz: 46GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BF776H6327XTSA1 nach Preis ab 0.29 EUR bis 21.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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BF776H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BF776H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active |
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BF776H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BF776H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BF776H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BF776H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 46 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-343 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 50mA Übergangsfrequenz: 46GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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BF776H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BF776H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 46 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-343 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: No SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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BF776H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BF776H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BF776H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active |
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