BD679AS

BD679AS ON Semiconductor


1071338143328623bd679a.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
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Technische Details BD679AS ON Semiconductor

Description: TRANS NPN DARL 80V 4A TO126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 40 W.

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BD679AS BD679AS Hersteller : onsemi / Fairchild BD681_D-2310372.pdf Darlington Transistors NPN Epitaxial Sil
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BD679AS BD679AS Hersteller : onsemi bd681-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 4A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
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