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BD442 CDIL

bd442-datasheet.pdf
Produktcode: 155331
Hersteller: CDIL
Gehäuse: SOT-32
U, V: 80 V
U, V: 80 V
I, А: 4 A
h21,max: 140
auf Bestellung 78 Stück:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BD442 BD442 Hersteller : onsemi bd438-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 36 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2049+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2049
BD442 BD442 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC BD438,440,442.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Case: TO126
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
195+0.37 EUR
410+ 0.17 EUR
2500+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 195
BD442 BD442 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC BD438,440,442.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Case: TO126
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
195+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 195
BD442 Hersteller : LGE bd438-d.pdf BD442.pdf Transistor PNP; 40; 1,25W; 80V; 4A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD436; BD438; BD442STU; BD442G; BD442-CDI; BD442-LGE; BD442 TBD442
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
200+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 200
BD442 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003590541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD442 - TRANSISTOR, PNP TO-126
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BD442 BD442 Hersteller : STMicroelectronics bd440.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
BD442 BD442 Hersteller : onsemi bd438-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 36 W
Produkt ist nicht verfügbar
BD442 BD442 Hersteller : STMicroelectronics BD442.pdf Description: TRANS PNP 80V 4A SOT32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-32
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 36 W
Produkt ist nicht verfügbar
BD442 BD442 Hersteller : STMicroelectronics CD00184890-533846.pdf Bipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
BD442 BD442 Hersteller : onsemi BD438_D-2310160.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 36W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
BD442 BD442 Hersteller : STMicroelectronics BD442.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; SOT32
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 36W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
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Produktcode: 15292		 BD136,138,140.pdf
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Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 1283 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.14 EUR
10+ 0.12 EUR
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Produktcode: 190877		 en.CD00000902.pdf BDX53%2C54B%2CC.pdf
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Hersteller: ARC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 8 А
Bem.: Дарлінгтон
ZCODE: THT
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Produktcode: 191983		 bd139.pdf bd135-d.pdf
BD139
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
ZCODE: THT
auf Bestellung 2726 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
0,33 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R33)
Produktcode: 3296		 SQP_080911.pdf
0,33 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R33)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Resistenz: 0,33 Ohm
Leistung: 5W
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
U Betriebs.,V: 750V
Abmessungen, mm: 22,0x10,0x9,5; dAusfuhr.=0,8
Typ: Ausfuhrungs-, Zement-, Draht-
auf Bestellung 434 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.1 EUR
10+ 0.09 EUR
100+ 0.08 EUR
47uF 50V EXR 6,3x11mm (EXR470M50B-Hitano)
Produktcode: 2430		 EXR_080421.pdf
47uF 50V EXR 6,3x11mm (EXR470M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 986 Stück
erwartet: 10000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.26 EUR
10+ 0.22 EUR
100+ 0.19 EUR
1000+ 0.03 EUR