BD137G ON Semiconductor
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Technische Details BD137G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD137G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 65 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BD137G nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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BD137G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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BD137G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12W; TO225 Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Power dissipation: 12W Polarisation: bipolar Frequency: 50MHz Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1.5A Type of transistor: NPN Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BD137G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12W; TO225 Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Power dissipation: 12W Polarisation: bipolar Frequency: 50MHz Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1.5A Type of transistor: NPN |
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BD137G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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BD137G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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BD137G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W NPN |
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BD137G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W |
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BD137G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD137G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 65 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BD137G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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BD137G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD137G транзистор биполярный NPN Produktcode: 148260 |
Hersteller : ON |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-225 Uceo,V: 60 V Ucbo,V: 60 V Ic,A: 1,5 A ZCODE: THT |
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BD137G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BD137G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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