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BD13516STU

BD13516STU ONSEMI

BD135_137_139.PDF Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 1.25W; TO126ISO
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 100...250
Collector current: 1.5A
Type of transistor: NPN
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Technische Details BD13516STU ONSEMI

Description: ONSEMI - BD13516STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-126, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BD135, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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BD13516STU BD13516STU Hersteller : ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 1.25W; TO126ISO
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 100...250
Collector current: 1.5A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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169+ 0.42 EUR
1920+ 0.41 EUR
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BD13516STU BD13516STU Hersteller : onsemi / Fairchild BD139_D-2310463.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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5760+ 0.42 EUR
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BD13516STU BD13516STU Hersteller : onsemi bd135?pdf=Y Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
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60+ 1.02 EUR
120+ 0.74 EUR
540+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 15
BD13516STU BD13516STU Hersteller : ONSEMI 1911665.pdf Description: ONSEMI - BD13516STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BD135
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BD13516STU BD13516STU Hersteller : ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
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BD13516STU BD13516STU Hersteller : ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
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