BCX55H6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details BCX55H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT89, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BCX55H6327XTSA1 nach Preis ab 0.2 EUR bis 1.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BCX55H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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BCX55H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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BCX55H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT89 Mounting: SMD Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BCX55H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT89 Mounting: SMD Frequency: 100MHz |
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| BCX55H6327XTSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCX55H6327XTSA1 - BCX55 60 V, 1 A NPN POWER BIPOLAR tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BCX55H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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BCX55H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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BCX55H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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BCX55H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BCX55H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT89 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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