BCW65CLT1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.8A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 250...630
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1300+ | 0.055 EUR |
| 1450+ | 0.05 EUR |
| 1775+ | 0.04 EUR |
| 1900+ | 0.038 EUR |
| 12000+ | 0.037 EUR |
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Technische Details BCW65CLT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BCW65CLT1G nach Preis ab 0.037 EUR bis 0.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BCW65CLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.8A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 250...630 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
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BCW65CLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 99000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BCW65CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 31270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCW65CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 31270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCW65CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCW65CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCW65CLT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN |
auf Bestellung 26502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BCW65CLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 103497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BCW65CLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 10200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCW65CLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 10200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCW65CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW65CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW65CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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