BCR523E6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BCR523E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BCR523E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BCR523E6327HTSA1 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BCR523E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR |
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BCR523E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
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BCR523E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCR523E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR523E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BCR523E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR523E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| BCR523E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
Tranzystor NPN; 70; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR523E6327HTSA1; BCR523E6433HTMA1; BCR523E6433; BCR523E6327; BCR523E INFINEON; BCR523E6433HTMA1 TBCR523 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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BCR523E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCR523E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCR523E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 1kΩ Mounting: SMD Power dissipation: 0.33W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Collector current: 0.5A Collector-emitter voltage: 50V Frequency: 100MHz Case: SOT23 Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BCR523E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
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BCR523E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 1kΩ Mounting: SMD Power dissipation: 0.33W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Collector current: 0.5A Collector-emitter voltage: 50V Frequency: 100MHz Case: SOT23 Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
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