![BCR108WH6327XTSA1 BCR108WH6327XTSA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/eaacff18b8d52ae54d395da0216d4c9ec43d5150/sot323.jpg_472149771.jpg)
BCR108WH6327XTSA1 Infineon Technologies
![bcr108series.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
36000+ | 0.074 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BCR108WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 170 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Weitere Produktangebote BCR108WH6327XTSA1 nach Preis ab 0.055 EUR bis 0.081 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BCR108WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
![]() |
BCR108WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
![]() |
BCR108WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
auf Bestellung 88407 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
BCR108WH6327XTSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 88407 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||
![]() |
BCR108WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
![]() |
BCR108WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
![]() |
BCR108WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
BCR108WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |