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BCP69T1G

BCP69T1G ON Semiconductor

bcp69t1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BCP69T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BCP69T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 375hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 60MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp69t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp69t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : onsemi bcp69t1-d.pdf Description: TRANS PNP 20V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
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2000+ 0.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 1000
BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp69t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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4000+ 0.24 EUR
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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp69t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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325+0.48 EUR
369+ 0.4 EUR
372+ 0.39 EUR
480+ 0.29 EUR
484+ 0.27 EUR
595+ 0.21 EUR
1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.16 EUR
6000+ 0.14 EUR
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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : onsemi BCP69T1_D-2310330.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 20V PNP
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500+ 0.31 EUR
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2000+ 0.21 EUR
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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : onsemi bcp69t1-d.pdf Description: TRANS PNP 20V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
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27+0.67 EUR
31+ 0.57 EUR
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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : ONSEMI bcp69t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Current gain: 85...375
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
70+1.02 EUR
127+ 0.56 EUR
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Mindestbestellmenge: 70
BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : ONSEMI bcp69t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Current gain: 85...375
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
auf Bestellung 70 Stücke:
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70+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 70
BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp69t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : ONSEMI 1708251.pdf Description: ONSEMI - BCP69T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 375hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12214 Stücke:
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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : ONSEMI 1708251.pdf Description: ONSEMI - BCP69T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 375hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12214 Stücke:
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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp69t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP69T1G BCP69T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0011183087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCP69T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCP69T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp69t1-d.pdf Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,5; Uceo, В = 20; Ic = 1 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 60; hFE = 85 @ 500 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A; Тексп, °С = -65...+150; SOT-223
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+0.54 EUR
100+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 11
BCP69T1G Hersteller : ONS bcp69t1-d.pdf Транз. Бипол. ММ PNP SOT223 Uceo=-20V; Ic=-1A; f=40MHz; Pdmax=1,35W; hfe=85/375
auf Bestellung 1822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.59 EUR
10+ 0.52 EUR
100+ 0.47 EUR
BCP69T1G Hersteller : ONSEMI product.do?id=BCP69T1G Description: ONSEMI - BCP69T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 125272 Stücke:
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