BCP5416TA Diodes Zetex
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Technische Details BCP5416TA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BCP5416TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP54, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1A, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BCP5416TA nach Preis ab 0.061 EUR bis 0.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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BCP5416TA | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 45V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BCP5416TA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP5416TA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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BCP5416TA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz |
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BCP5416TA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP5416TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 45V 1A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 2 W |
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BCP5416TA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP5416TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K |
auf Bestellung 537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BCP5416TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 45V 1A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 2 W |
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BCP5416TA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCP5416TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP54 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BCP5416TA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCP5416TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP54 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BCP5416TA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP5416TA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 45V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP5416TA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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