BCP5310TA

BCP5310TA DIODES INCORPORATED


BCP51_52_53.pdf Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 930 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
640+0.11 EUR
850+ 0.085 EUR
930+ 0.077 EUR
5000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 640
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Technische Details BCP5310TA DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - BCP5310TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCP53 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BCP5310TA BCP5310TA Hersteller : DIODES INCORPORATED BCP51_52_53.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
auf Bestellung 930 Stücke:
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640+0.11 EUR
850+ 0.085 EUR
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BCP5310TA BCP5310TA Hersteller : Diodes Incorporated BCP51_52_53.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.17 EUR
2000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BCP5310TA BCP5310TA Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0000570358_1-2542062.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
auf Bestellung 2054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.67 EUR
10+ 0.48 EUR
100+ 0.21 EUR
1000+ 0.16 EUR
2000+ 0.14 EUR
10000+ 0.13 EUR
25000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BCP5310TA BCP5310TA Hersteller : Diodes Incorporated BCP51_52_53.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 5722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+0.67 EUR
38+ 0.48 EUR
100+ 0.24 EUR
500+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 27
BCP5310TA BCP5310TA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0000570358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BCP5310TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCP53 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCP5310TA BCP5310TA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0000570358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BCP5310TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCP53 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCP5310TA Hersteller : Diodes INC. BCP51_52_53.pdf Транзистор PNP; Ptot, Вт = 2; Uceo, В = 80; Тип монт. = smd; hFE = 63 @ 150 мA, 2 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-223
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+1.07 EUR
10+ 0.59 EUR
100+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BCP5310TA BCP5310TA Hersteller : Diodes Inc 781bcp51_52_53.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BCP5310TA BCP5310TA Hersteller : Diodes Zetex 781bcp51_52_53.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar