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BC860BW,115

BC860BW,115 NXP USA Inc.


PHGLS19380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: NXP USA Inc.
Description: NOW NEXPERIA BC860BW - SMALL SIG
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details BC860BW,115 NXP USA Inc.

Description: NEXPERIA - BC860BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC860BW, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC860BW,115 BC860BW,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC859W_860W.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BC860BW,115 BC860BW,115 Hersteller : Nexperia BC859W_860W-1525757.pdf Bipolar Transistors - BJT BC860BW/SOT323/SC-70
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3000+ 0.042 EUR
9000+ 0.035 EUR
24000+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BC860BW,115 BC860BW,115 Hersteller : NEXPERIA BC859W_860W.pdf Description: NEXPERIA - BC860BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC860BW
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC860BW,115 BC860BW,115 Hersteller : NEXPERIA BC859W_860W.pdf Description: NEXPERIA - BC860BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC860BW
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 750 Stücke:
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BC860BW,115 Hersteller : NEXPERIA PHGLS19380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - BC860BW,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC860BW,115 BC860BW,115 Hersteller : Nexperia 1746114262916054bc859w_860w.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
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BC860BW,115 BC860BW,115 Hersteller : NEXPERIA 1746114262916054bc859w_860w.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BC860BW,115 BC860BW,115 Hersteller : NEXPERIA BC859W_860W.pdf PHGLS19380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BC860BW,115 BC860BW,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC859W_860W.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BC860BW,115 BC860BW,115 Hersteller : NEXPERIA BC859W_860W.pdf PHGLS19380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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