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BC858W,135

BC858W,135 Nexperia

BC856W_BC857W_BC858W-1319299.pdf Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC858W/SOT323/SC-70
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Technische Details BC858W,135 Nexperia

Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 200 mW.

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BC858W,135 BC858W,135 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856W_BC857W_BC858W.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
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BC858W,135 Hersteller : NEXPERIA PHGLS08627-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - BC858W,135 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC858W,135 BC858W,135 Hersteller : NEXPERIA 1515642222250603bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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BC858W,135 BC858W,135 Hersteller : Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC858W,135 BC858W,135 Hersteller : Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC858W,135 BC858W,135 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856W_BC857W_BC858W.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
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Transistor Type: PNP
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