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BC858ALT1G ON Semiconductor

Name: BC858ALT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 17228953-5
Price: 0.014000000000000002 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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Technische Details BC858ALT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC858ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).

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BC858ALT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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BC858ALT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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BC858ALT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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BC858ALT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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15000+	0.021 EUR
30000+	0.02 EUR

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BC858ALT1G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW

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6000+	0.03 EUR
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BC858ALT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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5465+	0.025 EUR
5525+	0.023 EUR
5715+	0.021 EUR
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BC858ALT1G

Hersteller : ONSEMI

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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556+	0.13 EUR
848+	0.084 EUR
1613+	0.044 EUR
2428+	0.029 EUR

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BC858ALT1G

Hersteller : ONSEMI

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848+	0.084 EUR
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BC858ALT1G

Hersteller : onsemi

Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP

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18+	0.16 EUR
25+	0.12 EUR
100+	0.056 EUR
1000+	0.035 EUR
3000+	0.028 EUR
9000+	0.021 EUR
24000+	0.019 EUR

Mindestbestellmenge: 18

BC858ALT1G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW

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BC858ALT1G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - BC858ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

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BC858ALT1G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - BC858ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 225mW
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

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BC858ALT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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BC858ALT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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BC858ALT1G

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