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BC857CW,115

BC857CW,115 Nexperia

bc856w_bc857w_bc858w.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details BC857CW,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC857CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BC857CW,115 BC857CW,115 Hersteller : Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC857CW,115 BC857CW,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856W_BC857W_BC858W.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
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BC857CW,115 BC857CW,115 Hersteller : NEXPERIA BC856W_BC857W_BC858W.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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695+ 0.1 EUR
1197+ 0.06 EUR
1413+ 0.051 EUR
1954+ 0.037 EUR
2067+ 0.035 EUR
3185+ 0.022 EUR
3356+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BC857CW,115 BC857CW,115 Hersteller : NEXPERIA BC856W_BC857W_BC858W.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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695+ 0.1 EUR
1197+ 0.06 EUR
1413+ 0.051 EUR
1954+ 0.037 EUR
2067+ 0.035 EUR
3185+ 0.022 EUR
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BC857CW,115 BC857CW,115 Hersteller : Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC857CW,115 BC857CW,115 Hersteller : Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 36210 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 788
BC857CW,115 BC857CW,115 Hersteller : Nexperia BC856W_BC857W_BC858W-1319299.pdf Bipolar Transistors - BJT BC857CW/SOT323/SC-70
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BC857CW,115 BC857CW,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856W_BC857W_BC858W.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 33330 Stücke:
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BC857CW,115 BC857CW,115 Hersteller : NEXPERIA PHGLS08627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC857CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 32699 Stücke:
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BC857CW,115 BC857CW,115 Hersteller : NEXPERIA PHGLS08627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC857CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC857CW,115 BC857CW,115 Hersteller : Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 1998 Stücke:
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BC857CW,115 BC857CW,115 Hersteller : Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC857CW,115 BC857CW,115 Hersteller : NEXPERIA 690637.pdf Description: NEXPERIA - BC857CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC857CW,115 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En BC856W_BC857W_BC858W.pdf Транзистор PNP; Ptot, Вт = 0,2; Uceo, В = 45; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 420 @ 2 мА, 5 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-323
auf Bestellung 100 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
100+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 100
BC857CW,115 Hersteller : NXP BC856W_BC857W_BC858W.pdf Transistor PNP; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BC857CW,115; BC857CWT1G; BC857CW,135; BC857CW-7-F; BC857CWH6327XTSA BC857CW,115 TBC857cw
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
BC857CW,115 Hersteller : NEXPERIA PHGLS08627-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - BC857CW,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 77795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC857CW,115 BC857CW,115 Hersteller : NEXPERIA bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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