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BC857C-7-F

BC857C-7-F Diodes Zetex

ds11207.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC857C-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC857C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BC857C-7-F BC857C-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds11207.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857C-7-F BC857C-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds11207.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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30000+ 0.029 EUR
75000+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BC857C-7-F BC857C-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED bc856_7_8.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 350mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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1260+0.057 EUR
2120+ 0.034 EUR
3000+ 0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 1260
BC857C-7-F BC857C-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED bc856_7_8.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 350mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
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BC857C-7-F BC857C-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds11207.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+ 0.1 EUR
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BC857C-7-F BC857C-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011538025_1-2543623.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR PNP SOT-23
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18+ 0.16 EUR
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1000+ 0.049 EUR
3000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BC857C-7-F BC857C-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds11207.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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77+0.23 EUR
110+ 0.16 EUR
203+ 0.087 EUR
500+ 0.068 EUR
1000+ 0.047 EUR
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BC857C-7-F BC857C-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC857C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC857C-7-F BC857C-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC857C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
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auf Bestellung 3000 Stücke:
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BC857C-7-F Hersteller : DIODES, INC. ds11207.pdf PNP 45V 100mA 250mW, hFE=420-800, 250MHz -55..150°C, SOT-23
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