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BC857BQC-QZ

BC857BQC-QZ Nexperia USA Inc.


BC857XQC-Q_SER.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:

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Technische Details BC857BQC-QZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BC857BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 450mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857xQC-Q Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
BC857BQC-QZ BC857BQC-QZ Hersteller : Nexperia bc857xqc-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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2315+0.067 EUR
2968+ 0.05 EUR
3013+ 0.048 EUR
3165+ 0.044 EUR
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Mindestbestellmenge: 2315
BC857BQC-QZ BC857BQC-QZ Hersteller : Nexperia bc857xqc-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
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834+0.19 EUR
1241+ 0.12 EUR
1281+ 0.11 EUR
1380+ 0.1 EUR
2315+ 0.057 EUR
2968+ 0.043 EUR
3013+ 0.04 EUR
3165+ 0.038 EUR
3334+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 834
BC857BQC-QZ BC857BQC-QZ Hersteller : Nexperia USA Inc. BC857XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: AEC-Q101
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44+0.4 EUR
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BC857BQC-QZ BC857BQC-QZ Hersteller : Nexperia BC857XQC_Q_SER-2937645.pdf Bipolar Transistors - BJT BC857BQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3
auf Bestellung 15000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
7+0.41 EUR
10+ 0.29 EUR
100+ 0.12 EUR
1000+ 0.07 EUR
5000+ 0.065 EUR
10000+ 0.055 EUR
25000+ 0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BC857BQC-QZ BC857BQC-QZ Hersteller : NEXPERIA 3651046.pdf Description: NEXPERIA - BC857BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC857BQC-QZ BC857BQC-QZ Hersteller : NEXPERIA 3651046.pdf Description: NEXPERIA - BC857BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
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usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
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Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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