![BC857BMB,315 BC857BMB,315](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/5939ee6cedc5a12f66ce9806d084d770bf099404/sot883b_3d.jpg)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10000+ | 0.04 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BC857BMB,315 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC857BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: DFN1006B, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857xMB, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote BC857BMB,315 nach Preis ab 0.039 EUR bis 0.39 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC857BMB,315 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 6938 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC857BMB,315 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 490191 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC857BMB,315 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857xMB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 19403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
BC857BMB,315 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857xMB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 19403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
BC857BMB,315 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() |
auf Bestellung 2004 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
BC857BMB,315 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 2004 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
BC857BMB,315 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 2004 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
BC857BMB,315 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
BC857BMB,315 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |