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Technische Details BC856S,125 Nexperia
Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A 6TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 6-TSSOP, Part Status: Active.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BC856S,125 | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 400mW 6-Pin TSSOP T/R |
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| BC856S,125 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856S,125 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BC856S,125 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 400mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
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BC856S,125 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
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BC856S,125 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC856S/SOT363/SC-88 |
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